[16a-A408-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

[16a-A408-3] Fabrication of Li-dope diamond by nuclear transmutation (2)
-Investigation of thermal diffusion of Be in type IIa diamond substrate-

〇Yasuto Miyake¹, Hiroki Okuno¹, Hideyuki Watanabe² (1.RIKEN RNC, 2.AIST)

Keywords:diamond, nuclear transformation, beryllium

ダイヤモンドはワイドバンドギャップ半導体であり、Liをドーパントとすることで室温動作可能なn型半導体となることが予想されている。本研究では、放射性同位体元素⁷Beの⁷Liへの核種変換反応を利用して、Liを欠陥生成なしにドープしたダイヤモンドを製作することを目的とする。発表では、IIaダイヤモンド基板中のBeの熱拡散の調査として、安定同位体⁹Beを利用したコールドテストの結果と考察について報告する。