[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-5] [第14回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Atomic Layer Etching時にSi基板に生成されるイオン侵入ダメージの解析

〇平田 瑛子¹、深沢 正永¹、釘宮 克尚¹、唐橋 一浩²、浜口 智志²、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)

キーワード：原子層エッチング、ダメージ、表面反応

近年、低ダメージ加工を実現する目的でALE (Atomic Layer Etching) が検討されている。ALEは原子層レベルの超高精度加工を実現できる事から低ダメージであると言われていたが、その詳細について評価した報告例は少なかった。今回、SiN ALEのオーバーエッチング時に下地Siに生成されるダメージ構造や電気的特性に与える影響を詳細に評価したので報告する。受賞論文ではALE特有のダメージ生成メカニズムについて詳細をまとめた。