[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-9] 強誘電体トンネル接合の電荷トラップ影響シミュレーション

〇(M2)金 在顕¹、更屋 拓哉¹、平本 俊郎¹、小林 正治^1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab)

キーワード：強誘電体、強誘電体トンネル接合、不揮発性メモリー

酸化ハフニウム（HfO2）基盤の強誘電体トンネル接合(FTJ)は、高密度データ保存、非破壊読み出し、高速書き込み/読み出し動作およびCMOSプロセスとの整合性など、多様な利点により次世代不揮発性メモリとして注目されている。FTJの性能指標は、強誘電体の分極反転によるトンネル電気抵抗比（TER）である。しかし、TERや信頼性に影響を与える、強誘電体層に生成される電荷トラップの影響に関する調査は少ない。本研究では、TCADを用いてHf_0.5Zr_0.5O₂(HZO)をトンネル層とするFTJモデルを構築し、強誘電体分極反転とHZO内の電荷トラップがTERに与える影響をシミュレーションのよって調査した。