[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [16p-B508-10] Al₂O₃低温成膜化によるInGaAs界面準位密度低減メカニズムの解明

〇中村 圭吾¹、新井 龍志¹、大塚 悠介¹、松本 良輔¹、押山 到¹、吉田 慎一¹、平野 智之¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：InGaAs、Al2O3、界面準位

InGaAsフォトダイオードにおいて、InGaAs/絶縁膜の界面準位低減が重要である。先行研究において、Al₂O₃成膜温度の低温化による界面準位低減が報告されている。要因として、InGaAs表面結合状態やAl₂O₃膜中水素の影響が想定されるが明確化されていない。今回、界面準位密度を表面結合状態や膜中水素量と比較することで、Al₂O₃低温成膜化による界面準位低減メカニズムの解明を試みた。