[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-15] シリコン窒化膜の電子捕獲特性に対する熱処理の影響

〇王 祖豪¹、木本 健嗣³、中川 宗一郎¹、指田 光弘²、中村 健人²、藤野 郁弥²、前島 邦光³、小林 清輝^1,2 (1.東海大院工、2.東海大工、3.電子科学(株))

キーワード：不揮発性メモリ、シリコン窒化膜、昇温脱離ガス分析法

950 ℃または850 ℃の熱処理を行ったシリコン窒化膜からなるMNOSキャパシタのフラットバンド電圧の変化から、熱処理温度が高いほど窒化膜中の電子捕獲密度が減少することが分かった。窒化膜には水素が関与した電子トラップが存在することが知られている。このため、950 ℃熱処理中の窒化膜からの水素脱離についてTDSを用いて調べたところ、三つの脱離ピークが現れた。発表では、三つの脱離ピークの起源についての検討結果について報告する。