[17a-A205-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17a-A205-1] Effects of Nitrogen Pressure and Substrate Temperature on Mechanical Properties of Pulsed Laser Deposited SiCN Thin Films

〇(B)Tatsuki Takenaka¹, Yoshifumi Aoi¹, Masateru Nose² (1.Ryukoku Univ., 2.Toyama Univ.)

Keywords:Pulsed Laser Deposition, SiCN, Mechanical properties

本研究ではパルスレーザー堆積法（PLD法）により異なるガス圧、基板温度でのSiCN薄膜の製膜を試みた。製膜は窒素ガス導入なしでの製膜とチャンバー内に窒素ガスを導入し0.5×10⁻² Torr から3.0×10⁻² Torrの間で変化させ、また基板温度は25 ℃から500 ℃の間で変化させ行った。得られた薄膜の構造についてはRaman散乱分光法、X線光電子分光法(XPS)、原子間力顕微鏡 (AFM) により、機械的性質はナノインデンテーション試験で評価した。