[17a-A205-1~9] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17a-A205-2] Preparation and Characterization of SiCN Thin Films by Electron Cyclotron Resonance (ECR) Plasma Sputtering

〇(B)Yuki Oba¹, Kimihide Ito¹, Masateru Nose², Yoshifumi Aoi¹ (1.Ryukoku Univ., 2.Toyama Univ.)

Keywords:Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering, SiCN, Mechanical properties

本研究では電子サイクロトン共鳴プラズマスパッタリング(ECR)法を用いて、異なる窒素流量比と基板温度でのSiCN薄膜の合成を試み、その構造と機械的性質の関係について検討した。窒素流量比は0〜0.9、基板温度は200〜600 ℃の間で変化させた。得られたSiCN薄膜は、X線光電子分光法(XPS)、Raman散乱分光法、原子間力顕微鏡(AFM)、ナノインデンテーション(ベルコビッチ圧子、押し込み荷重5 mN)、表面粗さ測定を用いて評価を行った。