[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-2] Study on Deposition and Evaluation of Gallium Oxide Thin Films by RF Magnetron Sputtering

〇(M1)Shunsuke Takahashi¹, Shota Kuwahara¹, Yuuki Sato¹, Shinzo Yoshikado¹ (1.Doshisha University)

Keywords:Gallium Oxide, RF Magnetron Sputtering

現在，発光デバイスやパワーデバイスの半導体材料としてSiに比べより特性向上が見込まれる新たな半導体の採用としてGa₂O₃への注目が高まっている。Ga₂O₃にはα， β， γ， δ， εの5種類の結晶構造が確認されており，最安定相のβ相で4.5~4.9eVと他の半導体材料と比較してバンドギャップが大きいという特徴がある。本研究では，RFマグネトロンスパッタ法によるβ- Ga₂O₃薄膜を種々の成膜条件で成膜し，評価を行ったので報告する。