[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-11] F₂添加 Ar プラズマを用いた基板昇温下での AlGaN の原子層エッチング

〇中村 昭平^1,2、谷出 敦^1,2、灘原 壮一^1,2、石川 健治²、小田 修²、堀 勝² (1.SCREENホールディングス、2.名古屋大学)

キーワード：原子層エッチング、窒化ガリウム、高温エッチング

GaN-HEMTのゲート部のAlGaNは緻密なエッチング量制御下で結晶欠陥の無い加工が必要である。従来の原子層エッチング(ALE)では形成した塩素吸着層をArイオン衝突で剥離する際の結晶欠陥形成が課題であった。結晶欠陥低減には基板加熱が有効であるが、スパッタ率増加による自己制限の課題がある。本研究ではF₂添加Arプラズマ照射で塩素吸着層の剥離を行うことで低揮発性の金属フッ化物を追加形成し、高温下において自己制限するALEを実証した。