[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [17p-A205-12] SiO₂高アスペクト比加工におけるFCガス分子の構造と組成の影響

〇日和佐 登¹、片岡 淳司¹、笹尾 典克¹、久保井 宗一¹、飯野 大輝¹、栗原 一彰¹、福水 裕之¹ (1.キオクシア)

キーワード：ドライエッチング、フルオロカーボンガス、高アスペクト比

3次元メモリの高アスペクト比（AR）加工に用いられるフルオロカーボン（FC）プラズマで形成されるラジカルは，マスク上部やホール側壁に付着し堆積膜を形成することから，マスク選択比やホール形状を制御する上で重要な役割を担う．本研究ではFCガス分子の組成と構造に着目し，堆積膜の形成とエッチング特性に及ぼす影響について調査したので報告する．