[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-15] Effects of PEC etching for fermi-level pinning in AlGaN/GaN HEMTs

〇Ryota Ochi¹, Takuya Togashi¹, Yoshito Osawa¹, Fumimasa Horikiri², Noboru Fukuhara², Masamichi Akazawa¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, 2.Sumitomo Chemical)

Keywords:GaN, PEC etching, Fermi-level pinning

GaN系トランジスタは、次世代高周波増幅器・パワーデバイスとして期待されている。化合物半導体においてフェルミレベルピンニングはデバイスの性能・信頼性に対する長年の課題であり、GaN系材料もその例外ではない。本研究では、表面フェルミレベルピンニングが生じているAlGaN/GaN HEMT構造試料に対して低損傷なPECエッチングを施し、XPSによる表面分析と電気的特性の評価からその効果を調査した。