[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-2] GaN-MOSFET における反転層移動度の酸化膜成膜方法依存性

〇(M1)幾田 大智¹、佐藤 翔太¹、大森 雅登¹ (1.大分大工)

キーワード：窒化ガリウム、MOSFET、移動度