[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [18a-A301-7] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの動作電圧低減・高電流密度化

〇岩田 大暉¹、隈部 岳瑠¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウム、共鳴トンネルダイオード

GaN/AlN共鳴トンネルダイオード(RTD)は高出力なテラヘルツ光源として注目を集めている。我々は、MOVPE法を用いて初めて信頼性の高いGaN/AlN RTDを実現した。しかし、RTDの性能指標であるピーク電流密度が小さく、また、動作電圧が11 V程度と高く電力損失が大きい。以上から、本研究ではGaN/AlN RTDの動作電圧低減とピーク電流密度の向上に向けデバイス構造の検討を行った。