[J132p] 加工技術の最前線［ポスター］

[J132p-02] 半導体CMP用研磨パッドの表面状態による研磨のメカニズムの解明

〇米本 魁人¹、藤田 隆¹、伊藤 琢朗¹、檜山 浩國²、和田 雄高²、安田 穂積²、小篠 諒太² (1. 近畿大学大学院、2. 株式会社荏原製作所)

キーワード：酸化膜CMP、パッド表面状態、研磨メカニズム、摩擦力、化学的状態