<em>In situ</em> X線散乱測定を用いた冷却過程におけるドキソルビシン封入リポソームの形態及び分子状態評価

[27P2-am1-104S] In situ X線散乱測定を用いた冷却過程におけるドキソルビシン封入リポソームの形態及び分子状態評価

○徳本大成¹、植田圭祐¹、東顕二郎¹、小坂井賢太²、田口宗孝²、大坂恵一³、岩尾康範⁴、森部久仁一¹ (1. 千葉大学大学院、2. 東芝ナノアナリシス、3. 高輝度光科学研究センター、4. 和歌山県医大薬)

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