2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

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[D-5-04] Thickness-Controlled Low-Temperature (~380℃) Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Poly-Ge/Insulator for High Carrier Mobility (~320 cm²/Vs)

^○K. Moto¹, T. Sadoh¹, Y. Kai¹, R. Matsumura¹, M. Miyao¹ (1.Kyushu Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月29日(木) 10:30 〜 10:45 |PDF ダウンロード

[D-6-01(Invited)] Kinetics of Forming Silicides in Nanowires and Nano-Heterostructures

^○Y. C. Chou¹ (1.NCTU(Taiwan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月29日(木) 11:15 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[D-6-02] Magnetotransport Properties of FePt Alloy-NDs Stacked Structures

^○K. Makihara¹, T. Kawase¹, A. Ohta¹, M. Ikeda¹, S. Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月29日(木) 11:45 〜 12:00 |PDF ダウンロード

[D-6-03] Use of Gold Nanoparticles to Tune the Heating Capacity (ILP) of Iron Oxide Nanoparticles

^○G. Bell^1,2, L. K. Bogart¹, P. Southern¹, M. Olivo², Q. A. Pankhurst¹, I. P. Parkin¹ (1.Univ. College London(UK), 2.A*STAR(Singapore))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月29日(木) 12:00 〜 12:15 |PDF ダウンロード

[D-6-04] Criterion for Ballistic-electron Printing of Thin Metal and Group IV Films

^○R. Suda¹, M. Yagi¹, A. Kojima¹, N. Mori², J. Shirakashi¹, N. Koshida¹ (1.Tokyo Univ. of Agri. & Tech.(Japan), 2.Osaka Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月29日(木) 12:15 〜 12:30 |PDF ダウンロード

[E-1-01(Invited)] Current and Future Technologies of SiC Power Devices

^○H. Asahara¹, T. Nakamura¹, M. Aketa¹, Y. Nakano¹, S. Mori¹ (1.ROHM Co., Ltd.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 13:30 〜 14:00 |PDF ダウンロード

[E-1-02] Study on the Guideline to Control Dry and Wet Oxidation Conditions to Improve 4H-SiC (000-1) C-face MOS Interface Characteristics

^○H. Kajifusa¹, K. Kita¹ (1.Univ. of Tokyo(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 14:00 〜 14:15 |PDF ダウンロード

[E-1-03] Impacts on 4H-SiC MOSFET Mobility of High Temperatue Annealing in Oxidizing Or Inert Ambient before Gate Oxide Growth

^○H. Hirai¹, K. Kita¹ (1.Univ. of Tokyo(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 14:15 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[E-1-04] Reliability Study on Positive Bias Temperature Instability in SiC MOSFETs by Fast I_D Measurement

^○T. Okunishi¹, K. Hisada², H. Toyoda³, Y. Yamamoto², K. Arai², Y. Yamashita², K. Yamazaki¹, S. Nara¹ (1.Renesas Electronics Corp.(Japan), 2.Renesas Semiconductor Manufac. Co., Ltd.(Japan), 3.Renesas System Design Co., Ltd.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[E-1-05] Positive Bias Temperature Instability of SiC-MOSFETs Induced by Switching Operation (AC-PBTI)

^○E. Murakami¹, T. Furuichi¹, T. Takeshita¹, K. Oda¹ (1.Kyushu Sangyo Univ.(Japan))

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials |2016年9月27日(火) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

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