一般セッション(口頭講演)

12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.9 有機トランジスタ

[19p-C5-1~20] 12.9 有機トランジスタ

2013年9月19日(木) 13:00 〜 18:15 C5 (TC3 1F-115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食　 (11:30 〜 13:00)

13:00 〜 13:15

[19p-C5-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）Novel Solution Process for High-Mobility C₆₀ Fullerene Field-Effect Transistors

^○康宇建 (東大)

13:15 〜 13:30

△ [19p-C5-2] 一重項ビラジカル分子Ph₂-IDPLを用いた両極性有機電界効果トランジスタの作製

^○（M2）古池晴信¹，近松真之²，阿澄玲子²，小川一道¹，久保孝史³，金井要¹ (東理大理工¹，産総研²，阪大院・理³)

13:30 〜 13:45

△ [19p-C5-3] Poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)を用いた有機発光トランジスタにおける電界効果移動度および発光特性の改善

^○田中仁，平岡浩一，池添郁也，梶井博武，大森裕 (阪大院工)

13:45 〜 14:00

△ [19p-C5-4] ジフェニルクリセン誘導体を用いた有機単結晶薄膜トランジスタ

^○前田采美¹，大槻裕之²，岡本一男²，功刀義人¹ (東海大院工¹，ウシオケミックス²)

14:00 〜 14:15

△ [19p-C5-5] 酸素プラズマ処理による有機トランジスタの閾値電圧精密制御

^○（M1）木村由斉¹，香月一真¹，北村雅季^1,2，荒川泰彦^2,3 (神戸大院工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

14:15 〜 14:30

△ [19p-C5-6] 埋め込み電極による塗布型有機電界効果トランジスタの低電圧駆動化

^○（M2）木村友¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明⁴，内藤裕義^1,2 (大阪府大院¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，広島大院³，日本化薬⁴)

14:30 〜 14:45

△ [19p-C5-7] 印刷銀電極を有する有機TFTの曲げに対する特性劣化の解析

^○関根智仁，福田憲二郎，熊木大介，時任静士 (山形大ROEL)

14:45 〜 15:00

[19p-C5-8] 棒状液晶物質の電荷輸送―側鎖の極性効果

^○高屋敷由紀子，大野玲，飯野裕明，半那純一 (東工大　像情報　半那・飯野研)

15:00 〜 15:15

[19p-C5-9] イオンゲルを用いた RR-P3HT 薄膜トランジスタにおける蓄積電荷状態のESR研究

^○櫻井勇希¹，松本大佑¹，竹延大志²，岩佐義宏³，丸本一弘^1,4 (筑波大院数物¹，早大院先進²，東大院工³，JSTさきがけ⁴)

15:15 〜 15:30

[19p-C5-10] マイクロ波法による有機半導体-絶縁体界面の電荷輸送特性評価

^○宮階智代，本庄義人，崔旭鎮，櫻井庸明，佐伯昭紀，関修平 (阪大院工)

休憩　 (15:30 〜 15:45)

15:45 〜 16:00

[19p-C5-11] ラマン分光法によるポリ(3-ヘキシルチオフェン)/イオン液体有機トランジスタのキャリア解析

^○山本潤，古川行夫 (早大院先進理工)

16:00 〜 16:15

[19p-C5-12] 有機トランジスタにおけるambipolar輸送特性の量子化学計算による検討

^○青山哲也¹，横田裕基^1,2，村中厚哉¹，石塚亜弥^1,2，田中利彦³，橋爪大輔¹，武藤豪志¹，高石和人¹，内山真伸¹，ジーン・チャールズリビエル⁴，松本真哉^1,2 (理研¹，横国大²，福島高専³，九大⁴)

16:15 〜 16:30

[19p-C5-13] ビスアゾメチン色素誘導体の配向制御とトランジスタ特性

^○横田裕基^1,2，Byung-Soon Kim¹，石塚亜弥¹，佐藤未英¹，Jean-Charles Ribierre³，田中利彦⁴，村中厚哉²，内山真伸²，松本真哉¹，青山哲也² (横国大¹，理研²，九大³，福島高専⁴)

16:30 〜 16:45

[19p-C5-14] ペンタセン薄膜トランジスタの電気的特性における測定環境依存性

^○（M2）土屋大岳，木村弘志，粟野祐二 (慶大院理工)

16:45 〜 17:00

[19p-C5-15] 電荷変調吸収スペクトルによるDA型ポリマーのバンドコヒーレンス解析

^○堤潤也¹，松岡悟志¹，井川光弘¹，尾坂格²，瀧宮和男²，長谷川達生¹ (産総研¹，理研²)

17:00 〜 17:15

[19p-C5-16] イオン液体上における大面積高配向性高分子有機半導体薄膜の作製とそのトランジスタ特性

^○（D）添田淳史^1,2，尾坂格³，瀧宮和男³，竹谷純一^1,2 (阪大産研¹，東大新領域²，理研³)

17:15 〜 17:30

[19p-C5-17] スクリーン印刷により電極形成した有機FETの作製

^○木本正臣¹，物部浩達²，清水洋² (奥野製薬工業¹，産総研関西²)

17:30 〜 17:45

[19p-C5-18] Yb界面層を有するペンタセンMOSダイオード特性の堆積温度依存性

^○湯澤康介¹，石原宏²，大見俊一郎¹ (東工大総理工¹，建国大²)

17:45 〜 18:00

[19p-C5-19] ラミネートプロセスによるフレキシブルC₈-BTBT TFTの作製と配向成長効果

^○酒井正俊¹，山崎陽太¹，山口祥平¹，林潤郎¹，岡本樹宜¹，國吉繁一¹，山内博¹，貞光雄一²，濱田雅裕²，工藤一浩¹ (千葉大院工¹，日本化薬²)

18:00 〜 18:15

[19p-C5-20] フロー・コーティング法で作製した高配向TIPS-ペンタセンFETアレイの素子特性のばらつき

^○坂本謙二，キリルブルガレビッチ，三木一司 (物材機構)