^○M. M. Uddin¹，H. W. Liu²，K. F. Yang²，T. D. Mishima³，M. B. Santos³，K. Nagase²，Y. Hirayama¹ (Tohoku University¹，JST, ERATO²，Okhlahoma University, USA³)

[28p-A8-10] 持続的スピンらせん状態におけるスピン空間分布の電界依存性 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○国橋要司¹，眞田治樹¹，後藤秀樹¹，小野満恒二¹，好田誠²，新田淳作²，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，東北大工²)

[28p-A8-11] ▲Fe/AlOx/GaAs系Spin-LEDにおける円偏光極性の電気的切り替え (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（P）西沢望，宗片比呂夫 (東工大・像情報)

[28p-A8-12] ▲Enhancing valence band mixing in single quantum dots by rapid thermal annealing (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○Edmund Harbord¹，太田泰友¹，白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，熊谷直人¹，大河内俊介¹，岩本敏^1,3，萬伸一^1,2，荒川泰彦^1,3 (東大ナノ量子機構¹，NECスマエネ研²，東大生研³)

セッション一覧

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[27P-PB3-1~6] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[27P-PB3-1] (Ga,Mn)As面内磁化膜の90°磁化スイッチングの直接観測 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27P-PB3-2] GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJのトンネルスペクトルによるGaMnAsの電子構造の解明 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27P-PB3-3] ▼Investigation of spin transport in single-layer graphene by using a dynamical method (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27P-PB3-4] GaAs/ZnMnSe結合量子井戸における電子スピン注入の励起キャリア密度依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27P-PB3-5] Co/Pd多層膜における磁化の弱励起光誘起才差運動 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[27P-PB3-6] ▲High spin injection without tunnel barrier is possible? (1:30 PM ～ 3:30 PM)

[28a-A8-1~12] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[28a-A8-1] ▲低エネルギーパルス光による(Ga,Ma)As の磁化歳差運動の初期過程 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

[28a-A8-2] ▲Effect of circularly polarized light on a magnetization vector in (Ga,Mn)As (10:15 AM ～ 10:30 AM)

[28a-A8-3] Co/Pd多層膜における磁化の光誘起才差運動の励起光入射角度依存性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

[28a-A8-4] ▼Valence-band ordering restored by ferromagnetism in GaMnAs (10:45 AM ～ 11:00 AM)

[28a-A8-5] ▲Epitaxial growth of ferromagnetic semiconductor Ga_1-xMn_xAs films on Ge(001) substrate (11:00 AM ～ 11:15 AM)

[28a-A8-6] ▲Palladium assisted growth of InAs nanowires by Molecular Beam Epitaxy (11:15 AM ～ 11:30 AM)

[28a-A8-6.1] 休憩(15分)

[28a-A8-7] MIS構造を用いた高濃度CeドーピングSi薄膜の評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

[28a-A8-8] 有機強誘電体をゲート絶縁膜に用いた希薄磁性半導体Si:Ce薄膜のキャリア制御 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

[28a-A8-9] EuO中の不純物・格子欠陥と電子状態 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

[28a-A8-10] Geの直接遷移蛍光の円偏光度の温度・励起エネルギー依存性 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

[28a-A8-11] 伸張歪Ge-on-Siへの室温光スピン注入 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

[28a-A8-12] 原子層に依存したグラフェン/磁性金属界面のスピン状態 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

[28p-A8-1~12] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[28p-A8-0] 昼食(60分)

[28p-A8-1] △変調ドープ(001)GaAs/AlGaAs細線における電子スピンダイナミクスの細線幅依存性 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

[28p-A8-2] InP(110)基板上InGaAs/InAlAs量子井戸の電子スピン緩和時間 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

[28p-A8-3] ▲Dynamics of optical spin injection in self-assembled InGaAs quantum dots (2:45 PM ～ 3:00 PM)

[28p-A8-4] △低温成長GaAsの10Kにおけるスピン緩和の観測 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

[28p-A8-5] △Be ドープ p型GaAsのスピン緩和の観測(10-100 K) (3:15 PM ～ 3:30 PM)

[28p-A8-6] InGaAsリング配列構造における電子スピン幾何学的位相の分離制御 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

[28p-A8-6.1] 休憩(15分)

[28p-A8-7] ▲Spin blocking effect in InGaAs/InAlAs double quantum wells due to Rashba spin-orbit coupling (4:00 PM ～ 4:15 PM)

[28p-A8-8] MgZnO/ZnO二次元電子系における抵抗検出型ESRによるRashbaスピン軌道相互作用の検出 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

[28p-A8-9] ▲InSb Quantum Wells with Excellent Gate Controllability (4:30 PM ～ 4:45 PM)

[28p-A8-10] 持続的スピンらせん状態におけるスピン空間分布の電界依存性 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

[28p-A8-11] ▲Fe/AlOx/GaAs系Spin-LEDにおける円偏光極性の電気的切り替え (5:00 PM ～ 5:15 PM)

[28p-A8-12] ▲Enhancing valence band mixing in single quantum dots by rapid thermal annealing (5:15 PM ～ 5:30 PM)