[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 A19 (E311)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[18a-A19-1] 軟X線照射によるB₁₀H₁₄注入Si基板中のB原子活性化

^○部家彰¹，平野翔大¹，草壁史¹，松尾直人¹，神田一浩² (兵庫県立大¹，兵庫県立大高度研²)

09:15 〜 09:30

村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，日塔光一¹，坂田修身¹，^○三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³)

09:30 〜 09:45

^○（M2）金澤孝^1,2，村田晃一^1,2，日塔光一¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²)

09:45 〜 10:00

^○高橋恒太¹，黒澤昌志^1,2，池上浩³，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³)

10:00 〜 10:15

^○鈴木陽洋¹，鄧云生¹，黒澤昌志^1,2，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

10:15 〜 10:30

^○内田紀行¹，岡田直也^1,2，宮崎剛英³，福田浩一¹，金山敏彦⁴ (産総研ナノエレ¹，JST-さきがけ²，産総研ナノシステム³，産総研⁴)

休憩10:30～10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○杉浦修 (千葉工大工)

11:00 〜 11:15

^○岡田直也^1,2，内田紀行²，金山敏彦² (JSTさきがけ¹，産総研²)

11:15 〜 11:30

^○（DC）首藤高徳¹，岩鍋圭一郎¹，小倉睦郎²，西田克彦²，浅野種正¹ (九大¹，アイアールスペック²)

11:30 〜 11:45

^○岩鍋圭一郎，首藤高徳，多喜川良，浅野種正 (九大)

11:45 〜 12:00

^○青木洋平，多喜川良，岩鍋圭一郎，首藤高徳，浅野種正 (九大)

12:00 〜 12:15

^○松本恵一，金谷佳則，岸川純也，下村和彦 (上智大理工)

12:15 〜 12:30

^○後藤正英¹，萩原啓¹，井口義則¹，大竹浩¹，更屋拓哉²，日暮栄治²，年吉洋²，平本俊郎² (NHK技研¹，東大²)