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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[18p-A11-1~17] 6.4 薄膜新材料

2014年9月18日(木) 13:15 〜 18:15 A11 (E215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:45

▲ [18p-A11-1] 「Invited lecture of overseas researcher」（30min.）
Tuning the magnetic properties of Co thin films by oxygen ion implantation

^○Jose Francisco Lopez-Barbera¹，E Menéndez²，H Modarresi²，M Haidar³，B.J. Kirby⁴，J Åkerman^3,5，J. A. Borchers⁴，A Vantomme²，K Temst²，Josep Nogués^1,6 (ICN2-Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia, Spain¹，KU Leuven, Instituut voor Kern- en Stralingsfysica,Belgium²，University of Gothenburg,Sweden³，National Institute of Standards and Technology,USA⁴，Royal Institute of Technology,Sweden⁵，ICREA -Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avançat,Spain⁶)

13:45 〜 14:00

▼ [18p-A11-2] Electronic conductivity of impurity-doped Zn₃N₂ thin films

^○（D）曹祥，渡会光貴，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大院工)

14:00 〜 14:15

▼ [18p-A11-3] Effect of oxidation process on MoS₂ thin film growth

^○Sinae Heo^1,2，Ryoma Hayakawa¹，Toyohiro Chikyow¹，Yutaka Wakayama^1,2 (NIMS¹，Kyusyu University²)

14:15 〜 14:30

▼ [18p-A11-4] Microfluidic control by temporally modulated thermoplasmonics

^○Kyoko Namura^1,2，Kaoru Nakajima¹，Kenji Kimura¹，Motofumi Suzuki¹ (Kyoto Univ.¹，JSPS Research Fellow²)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-A11-5] Impact of thermal expansion of substrates on phase transition temperature of VO₂ films

^○坂井穣¹，Mustapha Zaghrioui¹，松島正明²，舟窪浩²，沖村邦雄³ (GREMAN, Univ. Tours¹，Tokyo Tech.²，Tokai Univ.³)

14:45 〜 15:00

▲ [18p-A11-6] Influence of nitrogen oxide gas supply during ZnO film growth using high-temperature H₂O generated from a catalytic reaction

寺口祐介，大橋優樹，山口直也，玉山泰宏，^○安井寛治 (長岡技科大)

15:00 〜 15:15

▲ [18p-A11-7] Preparation of a single-phase TaO₂ thin film

^○Yuji Muraoka，Yuki Fujimoto，Takanori Wakita，Takayoshi Yokoya (Okayama Univ.)

休憩15:15～15:30 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 15:45

[18p-A11-8] LiH薄膜の配向制御とイオン伝導測定

^○大口裕之¹，池庄司民夫^2,3，桑野博喜¹，白木将³，折茂慎一^2,3，一杉太郎³ (東北大院工¹，東北大金研²，東北大AIMR³)

15:45 〜 16:00

[18p-A11-9] YAlO₃(001)基板上へのr面配向Cr₂O₃薄膜の作製

林佑太郎，隅田貴士，中村拓未，橋本浩佑，山本寛，^○岩田展幸 (日大理工)

16:00 〜 16:15

[18p-A11-10] マンガン窒化物Mn₃(Cu_xAg_1-x)Nの薄膜作製

^○畑野敬史¹，松本利希¹，松本健介¹，竹中康司²，生田博志¹ (名大工結材¹，名大工応物²)

16:15 〜 16:30

[18p-A11-11] 水素ドープに伴うNdNiO₃薄膜の構造変化

^○小野塚智也¹，近松彰^1,2，片山司¹，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，JST-CREST²，KAST³)

16:30 〜 16:45

[18p-A11-12] PLD法によるSi基板上へのSrVO₃薄膜の作製

^○（M1）稲垣遼，堀田育志，佐藤真一 (兵庫県立大)

休憩16:45～17:00 (16:45 〜 17:00)

17:00 〜 17:15

[18p-A11-13] 大気開放型CVD法を用いたNb:TiO₂膜の合成と抵抗率

^○（M2）小林望，菊田剛史，小松啓志，大塩茂夫，戸田育民，齋藤秀俊 (長岡技科大)

17:15 〜 17:30

[18p-A11-14] 常温大気圧下でのコプラナー型沿面放電によるSnO₂薄膜の形成における前駆体の検討

^○金指翔大，増田優貴，花井利通，丹祐人，奥谷昌之 (静岡大院工)

17:30 〜 17:45

[18p-A11-15] 大気下における沿面放電を利用した二酸化チタン膜の作成

増田優貴，丹祐人，^○金指翔大，奥谷昌之 (静岡大)

17:45 〜 18:00

[18p-A11-16] マイクロ波照射下における金属酸化物の自己発熱作用を利用した酸化スズ薄膜の作製

大橋拓也，武藤栄，^○奥谷昌之 (静岡大院工)

18:00 〜 18:15

[18p-A11-17] 液相プロセスにおける酸化物ゲルへのUV照射によるパターン形成技術の開発

^○芳本祐樹¹，永原幸児¹，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ERATO²，グリーンデバイス研究センター³)