^〇Patrick Han¹，Kazuto Akagi¹，Filippo Federici Canova¹，Hirotaka Mutoh¹，Susumu Shiraki¹，Katsuya Iwaya²，Paul Weiss³，Naoki Asao¹，Taro Hitosugi¹ (WPI-AIMR, Tohoku Univ.¹，RIKEN CEMS²，UCLA³)

16:15 〜 16:30

[19p-B3-12] プラズマCVD法による選択的2層グラフェンの合成

^○加藤隆一¹，沖川侑揮^1,2，石原正統^1,2，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (TASCグラフェン¹，産総研ナノチューブ²)

16:30 〜 16:45

[19p-B3-13] 高分子焼成法による高熱伝導性多層グラフェンの作製

^○多々見篤^1,2，立花正満^1,2，八木貴志^2,3，阿子島めぐみ^2,3，村上睦明^1,2 (カネカ¹，TASCグラフェン事業部²，産総研³)

16:45 〜 17:00

[19p-B3-14] 新規原料分子を用いたグラフェン及び窒素ドープグラフェンの成長

^○加藤時穂¹，今村岳¹，小幡誠司¹，Malli Bhanuchandra²，依光英樹²，斉木幸一朗¹ (東大院新領域¹，京大院理²)

17:00 〜 17:15

[19p-B3-15] プラズマ処理で合成したグラフェンにおける伝導度とドメインサイズの関係

^○沖川侑揮^1,2，加藤隆一²，石原正統^1,2，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (産総研¹，TASC²)

17:15 〜 17:30

[19p-B3-16] 低温プラズマCVD法によるフレキシブルウェブへのグラフェンのRoll-to-Roll成膜

^○山田貴壽^1,2，嶋田那由太²，植草和輝²，長谷川雅考^1,2 (産総研¹，TASC²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-B1-1~8] 17.1 成長技術

2014年9月20日(土) 09:00 〜 11:00 B1 (セミナー１)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[20a-B1-1] 開口ナノチューブをテンプレートとした単層カーボンナノチューブの繰り返し合成

^○（M1）竹崎大輝，海野貴徳，井ノ上泰輝，千足昇平，丸山茂夫 (東大)

09:15 〜 09:30

[20a-B1-2] 化学気相堆積法によるカーボンナノチューブの再成長および光学測定

^○山田千悟，汪華鋒，伊藤雅浩，加藤大樹，本間芳和 (東理大理)

09:30 〜 09:45

△ [20a-B1-3] SiC上のカーボンナノチューブを下地としたカーボンナノチューブフォレストのクローニング成長

^○平野優¹，稲葉優文¹，渋谷恵¹，鈴木和真¹，李智宇¹，明道三穂¹，平岩篤¹，乗松航²，楠美智子²，川原田洋¹ (早大理工¹，名大エコトピア研²)

09:45 〜 10:00

△ [20a-B1-4] パルスプラズマCVDによる(6,4)単層カーボンナノチューブの高純度合成

^○許斌，加藤俊顕，金子俊郎 (東北大院工)

10:00 〜 10:15

△ [20a-B1-5] 低圧化学気相成長法による多層カーボンナノコイルの細線化

^○清水慶明¹，須田善行¹，滝川浩史¹，植仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴ (豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス⁴)

10:15 〜 10:30

[20a-B1-6] Al₂O₃/SiO₂基板上でのFeナノ粒子-LB膜を用いたPEFC用垂直配向CNTの合成

^○高際翔太，栗山直樹，大橋正明，串田正人 (千葉大院工)

10:30 〜 10:45

[20a-B1-7] Si含有カーボンナノファイバーの電気特性評価と構造変化

^○桑高悠，Zamri Mohd，Yazid Yaakob，Golap Kalita，種村眞幸 (名工大院工)

10:45 〜 11:00

[20a-B1-8] Fe3O4@SiO2型コアシェル粒子を触媒に用いたカーボンナノチューブの合成と構造評価

^○大橋正明，栗山直樹，金杉治，高際翔太，串田正人 (千葉大院工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-B3-1~7] 17.1 成長技術

2014年9月20日(土) 09:00 〜 10:45 B3 (ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[20a-B3-1] 剥離MoS₂薄膜のLEEM/LEED解析

^○日比野浩樹¹，西口克彦¹，水野清義²，影島博之³ (NTT物性基礎研¹，九大²，島根大³)

09:15 〜 09:30

[20a-B3-2] hBN上への原子層WS₂の直接CVD合成

^○岡田光博¹，澤崎拓実¹，渡邊賢司²，谷口尚²，篠原久典¹，北浦良¹ (名大院理¹，物材機構²)

09:30 〜 09:45

△ [20a-B3-3] 薄膜硫化法によるMoxW1-xS2原子層の合成と評価

^○小林佑¹，森勝平¹，真庭豊¹，宮田耕充^1,2 (首都大院理工¹，JSTさきがけ²)

09:45 〜 10:00

[20a-B3-4] インジウムはんだを利用した遷移金属ダイカルコゲナイドの電気伝導特性評価

^○井上凌介¹，小林佑¹，森勝平¹，真庭豊¹，宮田耕充^1,2 (首都大理工¹，JSTさきがけ²)

10:00 〜 10:15

△ [20a-B3-5] マイルドプラズマによる遷移金属ダイカルコゲナイドの機能化

^○高橋智之，加藤俊顕，金子俊郎 (東北大院工)

10:15 〜 10:30

[20a-B3-6] 薄膜硫化法による金属性遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長

^○佐々木将悟¹，真庭豊¹，宮田耕充^1,2 (首都大理工¹，JST さきがけ²)

10:30 〜 10:45

▲ [20a-B3-7] Vertically-Aligned Carbon Nanosheets on Grafoils for Lithium Ion Batteries

^○王志朋¹，緒方啓典²，森本信吾¹，藤重雅嗣¹，竹内健司¹，橋本佳男¹，遠藤守信¹ (信州大¹，法政大²)

セッション一覧

17．ナノカーボン » 17.1 成長技術

[19a-B3-1~9] 17.1 成長技術

△ [19a-B3-5] Cu-Ni薄膜を用いた二層グラフェンの選択成長とそのメカニズム

△ [19a-B3-6] 銅表面におけるグラフェン成長のダイナミックス

△ [19a-B3-7] 架橋グラフェンナノリボンアレイの高効率合成

△ [19a-B3-8] 水分量を制御した銅触媒上のグラフェン合成

▼ [19a-B3-9] Controlling shape and number of layers of graphene crystals in CVD process using waste plastic as carbon source

[19p-B3-1~16] 17.1 成長技術

▲ [19p-B3-11] Bottom-Up Graphene-Nanoribbon Fabrication Reveals Chiral Edges and Enantioselectivity