[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-10] p型GaN層のSiNxパッシベーション膜の検討

〇小田 惟巧¹、金田 直樹²、山口 世力³、大平 圭介³、三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大理工、2.クオンタムスプレット、3.北陸先端大)

キーワード：GaN、自立基板、SiN

GaNを用いたバイポーラデバイスを作製する場合ｐ型領域と電極との良好なオーミック接触が重要課題である。本研究ではデバイス工程の中で、ｐ型層にダメージを与えオーミック接触性を劣化させると懸念されるSiNx膜堆積において、３種類の堆積法の比較検討を行ったので、その結果について報告する。