[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-15] マルチウェル構造TSVを用いたTSV側壁Si-SiO₂界面準位の評価

〇菅原 陽平¹、木野 久志²、福島 誉史¹、李 康旭³、小柳 光正³、田中 徹^1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)

キーワード：シリコン貫通電極、界面準位