[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-3] ミニマルファブで作製したリングオシレータの発振特性

〇居村 史人^1,2、古賀 和博^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブ

これまでにミニマルファブでは、抵抗負荷型pMOSインバータとそれを用いたリングオシレータを作製することによって、ミニマルファブは十分なクリーン性能を有し、デバイスが作製できる製造システムであることを実証してきた。しかし、浮遊容量の低減や抵抗値の吟味など高速化に必要なデバイス構造を最適化していなかった。今回、リングオシレータの構造設計と作製プロセスを見直し、その発振特性の評価を行ったので報告する。