一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
13:15 〜 13:30
〇大野 力一1、嵯峨 幸一郎1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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13:30 〜 13:45
〇中山 明1、吉川 博道1、豊倉 祥太1、雨堤 耕史1 (1.京セラ)
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13:45 〜 14:00
〇荒木 延恵1,2、日髙 洋美1、宮下 守也1、鵜殿 治彦2 (1.ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ、2.茨城大)
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14:00 〜 14:15
〇周 一帆1、羽深 等1 (1.横国大院工)
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14:15 〜 14:30
〇藤原 馨1、土橋 和也1、斉藤 美佐子1、小野寺 聡2、古澤 純和2 (1.東京エレクトロン、2.東京エレクトロン東北)
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14:45 〜 15:00
〇大井上 昂志1、齋藤 卓2、奥山 敦2、萩本 賢哉2、岩元 勇人2 (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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15:00 〜 15:15
〇清家 善之1、丹菊 大輝1、小林 義典2、宮地 計二2、甘利 昌彦2、森 竜雄1 (1.愛知工大、2.旭サナック)
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15:15 〜 15:30
〇(M2)伊藤 雅佳1、真田 俊之1、福永 明2、檜山 浩國2 (1.静岡大工、2.荏原製作所)
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15:30 〜 15:45
宮崎 賢都1、〇松尾 美弥1、奥山 将吾1、羽深 等1、後藤 昭広2 (1.横国大院工、2.プレテック)
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15:45 〜 16:00
〇高倉 知征1、都築 修一1 (1.日本ポール)
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