2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » シリコン結晶における不純物制御の科学 ~ゲッタリングが描くウェーハの未来像~

[5p-A204-1~9] シリコン結晶における不純物制御の科学 ~ゲッタリングが描くウェーハの未来像~

2017年9月5日(火) 13:30 〜 17:45 A204 (204)

小野 敏昭(SUMCO)、仮屋崎 弘昭(グローバルウェーハズ・ジャパン)

14:45 〜 15:00

[5p-A204-3] 超高温RTPウェーハのTEMによる酸素析出物の形態評価

須藤 治生1、青木 竜彦1、前田 進1、岡村 秀幸1、中村 浩三3、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大 情報工、3.岡山県大 地域共同研究機構)

キーワード:急速昇降温熱処理、酸素析出物、点欠陥

1350℃RTPウェーハにおける酸素析出物の密度と形状をTEMで観察した結果、バルク部で1×1011 /cm3を超える高密度であった。また、酸素析出物の成長温度が1000℃でありながら八面体が形成されていた。その理由は、1350℃RTPによって高密度の空孔が凍結され、それが析出物周囲の歪み緩和に寄与したためと考えられた。