[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [6a-A503-5] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（４）
-３次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-

〇重松 理史¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：分子クラスター、ゲッタリング、アトムプローブ

我々は炭素クラスター注入シリコンウェーハが重金属に対しゲッタリング能力を有すること, アニールすることで注入炭素が集合体を形成することを報告してきたが,SIMSやTEMでは分解能の限界からその詳細なゲッタリング挙動は不明であった.そこで我々は, 原子レベルでの解析が可能な３次元アトムプローブを用いて,銅汚染したシリコンウェーハを評価した.その結果,銅は炭素集合体内部に捕獲されていることを明らかとした.