2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年9月6日(水) 13:45 〜 19:00 C21 (C21)

角嶋 邦之(東工大)、曽根 正人(東工大)

15:30 〜 15:45

[6p-C21-8] ミニマルレーザ加熱装置で形成したゲート酸化膜を用いたp-MOSトランジスタのウェハ面内特性

佐藤 和重1,3、千葉 貴史1,3、寺田 昌男1,3、池田 伸一1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード:ミニマルファブ、レーザ加熱