一般セッション(口頭講演)

[14a-411-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月14日(火) 09:15 〜 11:45 411 (411)

七井靖(日大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

[14a-411-1] 熱活性化クロスオーバーモデルを用いたEu²⁺賦活Srサイアロン蛍光体の温度特性に関する考察

〇福田由美¹ (1.東芝研開セ)

09:30 〜 09:45

△ [14a-411-2] Sr₃BAl₅Si₉N₂₀:Euの合成，結晶構造と発光特性

〇吉村文孝¹、山根久典² (1.三菱化学科技セ、2.東北大多元研)

09:45 〜 10:00

▼ [14a-411-3] Luminescence property and local structure of phase pure La₃Si_6.5Al_1.5N_9.5O_5.5:Ce phosphor

〇(DC)Wang Chunyun^1,2、 Takeda Takashi^1,2、 ten Kate Otmar Melvin³、 Tansho Masataka²、 Deguchi Kenzo²、 Nakajima Kazuko²、 Xie Rong-Jun²、 Shimizu Tadashi²、 Hirosaki Naoto² (1.Hokkaido Univ.、2.NIMS、3.TU Delft)

10:00 〜 10:15

[14a-411-4] A_4-xB_yC_19+xX_29+x型新酸窒化物蛍光体の結晶構造解析

〇舟橋司朗¹、武田隆史¹、広崎尚登¹、解栄軍¹ (1.物材機構)

10:15 〜 10:30

[14a-411-5] A_4-xB_yC_19+xX_29+x型新酸窒化物蛍光体の粉末合成と発光特性

〇武田隆史^1,2、ワンチュンユン^1,2、舟橋司朗¹、解栄軍¹、広崎尚登¹ (1.物材機構、2.北大総合化学院)

10:30 〜 10:45

[14a-411-6] 不純物制御したBN からの近紫外線発光（I）合成と発光特性

〇武田隆史¹、解栄軍¹、ジョユジン¹、高橋向星¹、関口隆史¹、小山幸典¹、広崎尚登¹ (1.物材機構)

10:45 〜 11:00

▲ [14a-411-7] Impurity-induced near-UV emission from boron nitride (II) Preparation of field emission lamps (FELs)

〇解栄軍¹、高橋向星¹、武田隆史¹、広崎尚登¹ (1.物材機構)

11:00 〜 11:15

▼ [14a-411-8] 3D-CL analysis for core-shell structured SiAlON phosphors

〇(PC)Cho Yujin¹、 Dierre Benjamin²、 Takeda Takashi¹、 Li Shu-Xing¹、 Xie Rong-Jun¹、 Hirosaki Naoto¹、 Sekiguchi Takashi¹ (1.NIMS、2.T.U.Delft)

11:15 〜 11:30

[14a-411-9] Ｃｅ^３＋賦活の新規赤色蛍光体

〇新田充¹、長尾宣明¹、平澤拓¹、稲田安寿¹ (1.パナソニック)

11:30 〜 11:45

[14a-411-10] XAFS によるCe ドープ蛍光体の結晶構造解析

〇長尾宣明¹、新田充¹、平澤拓¹、稲田安寿¹ (1.パナソニック)

一般セッション(口頭講演)

[14p-411-1~14] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月14日(火) 13:15 〜 17:00 411 (411)

國本崇(徳島文理大)、深田晴己(金沢工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:15 〜 13:30

[14p-411-1] K₂SiF₆:Mn⁴⁺蛍光体のHFフリー合成とその蛍光特性

〇半澤弘昌¹、高濱裕子²、町田憲一² (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

13:30 〜 13:45

[14p-411-2] Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺黄色蛍光体の発光機構

〇(M1)大西勇也¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

13:45 〜 14:00

[14p-411-3] Bi³⁺共ドープによるTb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺蛍光体の発光増強

〇(M1)大西勇也¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

14:00 〜 14:15

[14p-411-4] レーザ励起スポット照明用高効率蛍光体プレートの開発

〇冨田昇吾¹、平澤拓¹ (1.パナソニック)

14:15 〜 14:30

[14p-411-5] ナノ粒子を出発材料としたZnS:Cu EL蛍光体（Ⅱ） -Cu(Ⅰ)塩を用いたZnS:Cuの溶液合成-

〇上田祥平¹、葛川和樹¹、石垣雅¹、和迩浩一²、音山貴史³、中崎義晃³、大観光徳¹ (1.鳥大院工、2.タツモ(株)、3.(株)ナノ・キューブ・ジャパン)

14:30 〜 14:45

[14p-411-6] ZnS:Cu分散型EL素子における駆動電圧低減の検討

〇永山凌¹、金田太地¹、石垣雅¹、大観光徳¹ (1.鳥大院工)

14:45 〜 15:00

[14p-411-7] GaP(111)基板上に成長させたCuAlS₂:Mn薄膜

〇林翔太¹、植田翔伍¹、石垣雅¹、大観光徳¹ (1.鳥大院工)

15:15 〜 15:30

△ [14p-411-8] CaMoO₄:Yb³⁺/Er³⁺アップコンバージョン蛍光体の合成と特性評価

〇大山渓人¹、野中俊宏¹、木村大海¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大院理工)

15:30 〜 15:45

[14p-411-9] 太陽エネルギー利用のためのEr³⁺, Ni²⁺共添加広帯域応答アップコンバーター

〇竹田康彦¹、ルイテルホムナト¹、水野真太郎¹ (1.豊田中研)

15:45 〜 16:00

△ [14p-411-10] テルビウムとガドリニウムを混合した九核希土類クラスターにおけるエネルギー移動と発光特性

〇(D)大曲駿¹、中西貴之²、北川裕一²、伏見公志²、長谷川靖哉² (1.北大院総化、2.北大院工)

16:00 〜 16:15

[14p-411-11] β-FeSi₂薄膜のPL発光特性に及ぼす成長温度の影響

〇秋山賢輔^1,2、松本佳久¹、舟窪浩² (1.神奈川産技セ、2.東工大物質理工)

16:15 〜 16:30

[14p-411-12] 逆オパール構造とナノ粒子構造を有する増感太陽電池用TiO₂電極の光吸収・発光・光電子収量特性評価

〇豊田太郎^1,4、奥野剛史¹、神山慶太²、早瀬修二^3,4、沈青^1,4 (1.電通大情報理工、2.分光計器、3.九工大生命体工、4.JST-CREST)

16:30 〜 16:45

△ [14p-411-13] 中間バンド型GaPN混晶でのキャリア再結合過程の光学的評価

〇根岸知華¹、ドゥラルハク¹、鎌田憲彦¹、矢口裕之¹ (1.埼玉大工)

16:45 〜 17:00

[14p-411-14] AlGaNのフォトキャパシタンス特性評価

〇大和慎之介¹、大井琢矢¹、大橋隆宏²、白岩佳子²、田邉匡生¹、鳥羽隆一²、小山裕¹ (1.東北大工、2.東北大環境科学)

一般セッション(口頭講演)

[15a-411-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月15日(水) 09:15 〜 11:45 411 (411)

児島貴徳(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

[15a-411-1] 自己形成CdSe量子ドットの光学的特性

〇久保歓治¹、立古佳与¹、米田稔¹、瀬戸悟²、本田亮³、谷山智康⁴ (1.岡山理大、2.石川高専、3.鳴門教育大、4.東工大応セラ研)

09:30 〜 09:45

[15a-411-2] コロイド状半導体量子ドットにおける増幅キャリア抽出法の新開発Ⅱ

〇小田勝¹、矢野岳人¹、赤木啓人¹、近藤久雄² (1.九工大工、2.愛媛大理)

09:45 〜 10:00

[15a-411-3] CuInS₂量子ドットの表面修飾による発光特性と光励起電子のダイナミクスの変化

〇(M2)出石拓也¹、張耀紅¹、中澤直樹¹、豊田太郎^1,5、早瀬修二^2,5、片山建二³、峯元高志^4,5、沈青^1,5 (1.電通大先進理工、2.九工大生命体工、3.中大理工、4.立命館大理工、5.JST CREST)

10:00 〜 10:15

[15a-411-4] アルキル基修飾を施した近赤外蛍光シリコンナノ粒子の特性評価

〇安澤宝史¹、平栗健二¹、佐藤慶介¹ (1.東京電機大工)

10:15 〜 10:30

[15a-411-5] LSW理論に基づくSiO₂薄膜中のナノ結晶Siの粒径予測

〇(M1)川村寿栄¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

10:30 〜 10:45

[15a-411-6] マイクロリアクターによるGdVO₄:Nd³⁺,Yb³⁺近赤外ナノ蛍光体の合成

〇稲垣徹^1,2、石垣雅²、大観光徳² (1.宇部興産株式会社、2.鳥大院工)

10:45 〜 11:00

▲ [15a-411-7] Plasmonic-enhanced photoluminescence of YAG:Ce⁺³ nanoparticles prepared in porous silica

〇(PC)Ranjan Bikas¹、 Shinozaki Kenji¹、 Yamashita Masaru¹、 Akai Tomoko¹ (1.National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

11:00 〜 11:15

[15a-411-8] 高効率な発光を示すCu-SiO₂系ガラスのXAFSによる構造解析

〇赤井智子¹、山下勝¹、武藤亮太²、高羽洋充² (1.産総研、2.工学院大)

11:15 〜 11:30

[15a-411-9] X線照射が銀ゼオライトナノ粒子の蛍光特性に与える影響

〇(B)泰地航平¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

11:30 〜 11:45

[15a-411-10] ガラス蛍光体へのサブ波長周期パターンのナノインプリントによる反射損失の低減と発光方位の制御

〇篠崎健二¹、鎌倉涼介²、村井俊介^2,3、三原敏行¹、北村直之¹、田中勝久²、赤井智子¹ (1.産総研、2.京大、3.JST さきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[15p-411-1~16] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月15日(水) 13:15 〜 17:30 411 (411)

植田和茂(九工大)、篠崎健二(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:15 〜 13:30

[15p-411-1] A₂LaTaO₆ (A=Ca, Ba):Tb³⁺中のBサイト占有Tb³⁺の発光

〇植田和茂¹、清水雄平¹、谷延男哉¹、田中就斗¹、山本稜¹、本間徹生² (1.九工大工、2.JASRI)

13:30 〜 13:45

[15p-411-2] フラックス法により育成したCaTiO₃:Pr, Al単結晶の発光特性

〇七井靖¹、片山裕司¹、中村美月¹、上岡隼人¹ (1.日大文理)

13:45 〜 14:00

[15p-411-3] パイロシリケート型シンチレータの発光特性とその低温での特性

〇黒澤俊介^1,2、堀合毅彦³、村上力輝斗⁴、庄子育宏^3,4、山路晃広³、大橋雄二³、鎌田圭^1,4、横田有為¹、吉川彰^1,3,4、大西彰正²、北浦守² (1.東北大NICHe、2.山形大理、3.東北大金研、4.C&A)

14:00 〜 14:15

[15p-411-4] 二価金属イオン共添加による Ce:GAGG 結晶中カチオン空格子の抑制

〇北浦守¹、佐藤公法²、黒澤俊介^1,3、鎌田圭³、大西彰正¹、原和彦⁴ (1.山形大理、2.東京学芸大、3.東北大NICHe、4.静岡大RIE)

14:15 〜 14:30

[15p-411-5] Bi付活酸化物蛍光体における発光特性の母体結晶依存性

〇佐久間洸輔¹、下沖祐太¹、深田晴己¹、山口敦史¹ (1.金沢工大　光電相互変換デバイスシステム研究開発センター)

14:30 〜 14:45

[15p-411-6] YPO₄:Nd真空紫外発光蛍光体の合成および評価

〇矢島英樹¹、野口圭佑¹、芹澤和泉¹、古田寛^2,3、八田章光^2,3 (1.オーク製作所、2.高知工科大、3.高知工科大総研ナノテクC)

14:45 〜 15:00

[15p-411-7] 硫黄を添加したSrAl₂O₄蛍光体の応力発光特性

〇前田幸治¹、蛯原正裕¹、小牧修也¹、境健太郎²、横山宏有¹、岡田豪³、柳田健之³ (1.宮崎大工、2.宮崎大産地連セ、3.奈良先端大)

15:00 〜 15:15

[15p-411-8] Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネッセンス特性(膜厚依存性)

〇(M1)古澤翔太¹、中村駿介¹、呉研¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

15:30 〜 15:45

[15p-411-9] Er₂O₃/Y₂O₃超格子のＭＢＥ成長

〇尾身博雄¹、伊藤友樹¹、俵毅彦¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

15:45 〜 16:00

[15p-411-10] Ｓｉ基板上における非磁性Y-W-O薄膜のＭＢＥ成長

〇尾身博雄¹、俵毅彦¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

16:00 〜 16:15

[15p-411-11] 母体結晶のノンスピンバス化を目指したエルビウム添加酸化セリウムのMBE成長

〇(D)稲葉智宏^1,2、俵毅彦^1,3、尾身博雄^1,3、山本秀樹¹、後藤秀樹¹ (1.NTT物性科学基礎研究所、2.阪大院工、3.NTTナノフォトニクスセンタ)

16:15 〜 16:30

[15p-411-12] ZnGa₂O₄:Eu膜の発光強度に与える基板の影響

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

16:30 〜 16:45

[15p-411-13] 局在表面プラズモンによるEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大

〇山田智也¹、稲葉智宏¹、児島貴徳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

16:45 〜 17:00

[15p-411-14] 二波長励起測定法によるEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの評価

〇小亀宏明¹、児島貴徳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

17:00 〜 17:15

[15p-411-15] 再励起プロセスによるEu³⁺のup-conversion現象の観測と解明

〇朱婉新¹、 Wei Ruoqiao²、 Mitchell Brandon^1,3、 Dierolf Volkmar²、児島貴徳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工、2.Lehigh Univ.、3.West Chester Univ.)

17:15 〜 17:30

[15p-411-16] GaN:Eu赤色LEDの発光ゆらぎ：インタラクティブな発光過程の解析

〇石井真史¹、稲葉智宏²、藤原康文² (1.物材機構、2.阪大工)

一般セッション(ポスター講演)

[16p-P7-1~36] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月16日(木) 13:30 〜 15:30 P7 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[16p-P7-1] シリコン中に形成されたエルビウム不均一分布の３次元アトムプローブ評価

〇清水康雄¹、涂远¹、アブデルガファ愛満²、矢野真麻²、鈴木雄大²、谷井孝至²、品田高宏³、 Prati Enrico⁴、井上耕治¹、永井康介¹ (1.東北大金研、2.早大理工、3.東北大CIES、4.IFN-CNR)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-2] Er:O共注入Si MOSFETのフォトルミネッセンスおよび光励起電流計測

〇アブデルガファターレック愛満¹、矢野真麻¹、千葉悠貴¹、 Prati Enrico²、 Celebrano Michele³、 Ghirardini Lavinia³、 Finazzi Marco³、 Ferrari Giorgio³、品田高宏⁴、谷井孝至¹ (1.早大理工、2.イタリアCNR、3.ミラノ工科大学、4.東北大CIES)