[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-10] FLAを用いたサブナノメートルオーダーの拡散制御

〇谷村 英昭¹、河原崎 光¹、布施 和彦¹、阿部 誠¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、小林 一平¹ (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：不純物の活性化、拡散制御、フラッシュランプアニール

プレーナ型のMOSFETにおいては、イオン注入と熱処理によって、ゲート下のオーバーラップ容量等調整することで、所望の電気特性を得ていた。しかしながら、Fin構造への変化に伴い、イオン注入の斜め注入等の技術を用いる事が難しくなってきている。そこで、熱処理装置は高い活性化と共に、ナノメートル(nm)オーダーで拡散を制御しなければならなくなってきた。本報告では、熱処理温度を一定とし、時間をミリセカンド(ms)オーダーで調整することで不純物の拡散を制御することができたので、報告する。