[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-7] 不純物偏析プロセスを用いたPtHfシリサイドのコンタクト抵抗低減に関する検討

〇塚本 祐也¹、左 偉光¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：シリサイド、コンタクト抵抗、PtHf

前回、我々はn-Siに対するコンタクト抵抗低減を目的として、低い仕事関数を有するHfとの混晶化によりn-Siに対するPtSiの仕事関数低減に関して報告した。今回、不純物偏析プロセスを用いて、コンタクト抵抗低減に関する検討を行ったので報告する。