[17a-E206-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17a-E206-6] Control of Schottky barrier heights in W/Si junctions by inserting W-silicide films composed of W-encapsulating Si clusters

〇Naoya Okada^1,2, Noriyuki Uchida¹, Toshihiko Kanayama¹ (1.AIST, 2.JST-PRESTO)

Keywords:Contact, Silicide, Cluster

本研究ではSiとのバンドオフセットが小さく、かつ界面状態を形成しない接合材料として、W内包Siクラスター（WSi_n）を凝集させた半導体薄膜（WSi_n膜）に着目している。光学ギャップを有するアモルファスWSi_n膜をSiとW電極の接触界面に挿入することで、フェルミレベルピンニングを緩和でき、W電極の仕事関数に対応するエネルギー位置まで電子障壁高さを低減できる。この電子障壁高さは、WSi_n膜（n = ~12）の熱処理により、さらに低減できる。