[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-9] Si上スパッタエピGe膜への熱アニールによる貫通転位密度低減

〇中村 友洋¹、葉 文章¹、佐藤 俊一² (1.島根大総理、2.リコー未来研)

キーワード：スパッタ、ゲルマニウム、エピタキシー