[17a-E206-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17a-E206-10] Diffusion control in sub-nanometer order using Flash Lamp Annealing

〇Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Kazuhiko Fuse¹, Makoto Abe¹, Takayuki Aoyama¹, Shinnichi Kato¹, Ippei Kobayashi¹ (1.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.)

Keywords:dopant activation, diffusion control, Flash Lamp Annealing

プレーナ型のMOSFETにおいては、イオン注入と熱処理によって、ゲート下のオーバーラップ容量等調整することで、所望の電気特性を得ていた。しかしながら、Fin構造への変化に伴い、イオン注入の斜め注入等の技術を用いる事が難しくなってきている。そこで、熱処理装置は高い活性化と共に、ナノメートル(nm)オーダーで拡散を制御しなければならなくなってきた。本報告では、熱処理温度を一定とし、時間をミリセカンド(ms)オーダーで調整することで不純物の拡散を制御することができたので、報告する。