特別シンポジウム
特別シンポジウム » GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学
2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:45 CE (センチュリーホール)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:30 〜 13:45
〇白石 賢二1 (1.名大未来研)
スケジュール
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13:45 〜 14:15
〇田中 敦之1,2、宇佐美 茂佳3、福島 颯太3、安藤 悠人3、久志本 真希3、出来 真斗1、新田 州吾1、本田 善央1、天野 浩1,2,4,5 (1.名大未来研、2.物材機構、3.名大院工、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)
スケジュール
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14:15 〜 14:45
〇松岡 隆志1、窪谷 茂幸1、谷川 智之1、加納 聖也2 (1.東北大学 金研、2.日亜化学工業㈱)
スケジュール
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14:45 〜 15:15
〇伊藤 智徳1 (1.三重大院工)
スケジュール
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15:15 〜 15:45
〇成田 哲生1、冨田 一義1、徳田 豊2、小木曽 達也2、五十嵐 信行3、菊田 大悟1、堀田 昌宏4、加地 徹3 (1.豊田中研、2.愛知工大、3.名大IMaSS、4.京大院工)
スケジュール
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15:45 〜 16:15
〇小出 康夫1、生田目 俊秀1、色川 芳宏1、三石 和貴1 (1.物質・材料研究機構)
スケジュール
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16:15 〜 16:45
〇高島 信也1 (1.富士電機)
スケジュール
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16:45 〜 17:15
〇渡部 平司1、山田 高寛1、野崎 幹人1、細井 卓治1、志村 考功1 (1.阪大院工)
スケジュール
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17:15 〜 17:45
〇須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
スケジュール
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