2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月21日(金) 13:30 〜 18:00 146 (レセプションホール)

荒木 努(立命館大)、岡田 成仁(山口大)

17:00 〜 17:15

[21p-146-14] 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化

上杉 謙次郎1、林 侑介2、正直 花奈子3、永松 謙太郎1、吉田 治正1、三宅 秀人2,3 (1.三重大地域イノベ推進機構、2.三重大院地域イノベ、3.三重大院工)

キーワード:AlN、スパッタ、アニール

高効率深紫外光源実現のために高品質AlN/サファイアテンプレートが求められている。我々のグループでは、スパッタ法による成膜と高温アニールを用いて、サファイア基板上に安価かつ簡便に低転位密度のAlN膜が作製可能であることを報告してきた。今回、スパッタ成膜時の条件によってAlN膜に蓄積される応力を制御することで、高温アニールに伴うAlN膜へのクラック発生を抑制しつつ、従来以上の結晶性向上を確認した。