2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 13:00 〜 16:45 233 (233)

角嶋 邦之(東工大)、呉 研(日大)

14:15 〜 14:30

[21p-233-6] ミニマル金属エッチング装置の開発とその評価(2)

加瀬 雅1、田中 宏幸1,3、野沢 善幸2,3、速水 利泰2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産業技術総合研究所、2.ミニマルファブ推進機構、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード:ミニマル、金属膜エッチング、誘導結合プラズマ

産総研ではφ12.5mmのハーフインチウェハに対応したミニマル装置を開発してきた。前回、メタルをエッチングする装置を開発し、Alエッチングの実験結果について報告した。Alエッチングは塩素系のガスを用いるため、エッチング後に大気に暴露すると腐食が発生する。そこで、ミニマルシステムならではのAlエッチング後のシャトル内が窒素雰囲気に保たれていることを利用して、ミニマルシステムではどのような防食プロセスが実用的かの実験を行ったので実例について述べる。