[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-9] ミニマルファブを活用したCOMS-MEMS融合デバイスの開発

〇柳 永シュン¹、田中 宏幸^1,2、古賀 和博²、クンプアン ソマワン^1,2、長尾 昌善¹、松川 貴¹、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマル推進機構)

キーワード：ミニマルファブ、ダイヤフラム

今まで、我々はミニマルファブのSOD (Spin on dopant)固相拡散によるSOI-CMOSの開発を行ってきた。今回は、ミニマルファブのマスクアライナーと深堀エッチャーを活用して、極薄SOIダイヤフラム上にCMOSを作製し、ダイヤフラム作製前後の電気特性評価を行ったので報告する。