13:15 〜 13:30
[18p-G203-1] 複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法によるSRAMデータ保持電圧の最小化
キーワード:SRAM、自己修復技術、DRV
本研究では,ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,ストレスを複数回に分けて印加する手法を提案し,さらにDRVを低下できること確認したので報告する.
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術
13:15 〜 13:30
キーワード:SRAM、自己修復技術、DRV