[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-5] 窒素をデルタドープした GaAs量子井戸における発光の時間分解によるスピン寿命測定

貝塚 秀樹¹、〇小俣 慶将¹、佐久間 芳樹²、池沢 道男¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

キーワード：GaAs、窒素発光中心、スピン緩和