[20p-C401-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [20p-C401-14] Si酸化膜中へのダブルSi⁺/Ge⁺ホットイオン注入によるSiGe量子ドットの形成

〇村川 洸紀¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：量子ドット、SiGe、ホットイオン注入

低エネルギーでのPL発光を目指し,酸化膜中へのダブルSi⁺/Ge⁺ホットイオン注入法によるSiGe量子ドットの形成と,PL発光特性について検討し,Si酸化膜中にSiGe-QDの形成と近赤外域PL発光を実現できた.