[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-16] プロセスインフォマティクスに基づくGaN-MOS構造作製プロセスの改善

〇(M2)原田 卓門¹、原田 慎太郎¹、上沼 睦典¹、宮尾 知幸¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、ベイズ最適化

絶縁膜にSiO₂を用いたGaN-MOS構造の絶縁膜堆積プロセスに対して、プロセスインフォマティクスに基づいた機械学習により堆積条件の最適化を試みた。また、Si基板上でも同様に最適化を行った。6サイクルのベイズ最適化によりD_itを低減する事が出来た。さらに、最適化後の堆積条件を比較すると、GaN基板とSi基板では良質な界面を得られる絶縁膜の堆積条件に違いがあることが分かった。