[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [22p-A406-2] プラズマ曝露による欠陥構造がシリコン窒化膜の機械特性変化に及ぼす影響

〇郷矢 崇浩¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ、機械特性評価、ナノインデンテーション

プラズマプロセスは，材料表面近傍にプラズマ誘起ダメージ（PID）を形成する．高アスペクト比構造や歪みによる電荷移動度制御を取り入れた先端半導体デバイスの更なる発展には，PIDを考慮した機械特性制御が重要である．今回，PID形成後のシリコン窒化（SiN）膜に対してウェットエッチングを用いた表面酸化層除去による効果を調べた．様々なPIDプロファイルがSiN膜の機械特性に及ぼす影響をナノインデンテーションにより評価した．