[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-4] 300～600℃の低温処理用ミニマルレーザ加熱装置の開発

〇佐藤 和重^1,3、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、濱田 健吾^1,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2,4 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱、4.Hundred Semiconductors)

キーワード：レーザ加熱

ミニマルレーザ加熱の300～600℃の低温での加熱特性についてまだ十分に調べられていない。本報告では、円形のレーザのみでシリコンウェハを加熱し、実際に温度分布をサーモグラフィカメラにより調べた。