[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-9] ミニマルイオン注入装置の開発 (IV)

〇三浦 典子¹、橋本 直樹²、北村 是尊²、居村 史人^3,4、石田 夕起^1,3、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3,4 (1.ミニマルファブ推進機構、2.フジインバック、3.産総研、4.(株)Hundred Semiconductors)

キーワード：ミニマルファブ、イオン注入

我々はミニマルファブの開発の一環として、イオン注入装置の開発も行っている。既に、リン注入装置では、デバイスプロセスに適用可能な注入特性を得ている。本研究では、未報告のボロン注入装置について、そのプロセス性能を報告する。