2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.6 Siデバイス／集積化技術

[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P10 (デイヴィス記念館 )

13:30 〜 15:30

[18p-P10-5] プラズマ酸化GeOx界面層挿入によるひずみGeナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善

○池田圭司，上牟田雄一，守山佳彦，小野瑞城，臼田宏治，小田穣，入沢寿史，古瀬喜代恵，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：Ge,MOSFET,Nanowire