[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

△ [18p-D8-15] HfO₂成膜前アニールにより形成したGaO_xパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO₂/In_0.53Ga_0.47As nMISFETの電子移動度向上

^○小田穣¹，入沢寿史¹，上牟田雄一¹，JevasuwanWipakorn¹，前田辰郎¹，市川磨²，石原敏雄²，長田剛規²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，住友化学²)

キーワード：InGaAs,GaOx,mobility