[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-16] エッチング停止位置検出層の導入によるゲートリセス構造AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧制御性の向上

〇大石 健介¹、高橋 英匡¹、安藤 裕二^1,2、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：ゲーテッドアノードダイオード、窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ

無線電力伝送のマイクロ波レクテナ用デバイスとして, 我々はノーマリオフAlGaN/GaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノードダイオード(GAD)の開発を行っている. ゲートリセス形成にAlGaN/GaNの選択エッチングを用いることができないため, ウエハ面内でのしきい値電圧の分布(変動)が大きな課題であった. 今回はエッチング停止位置検出層を導入することで, しきい値電圧制御性向上に取り組んだので報告する.