一般セッション(口頭講演)

[17a-D6-1~11] 14.5 化合物太陽電池

2013年9月17日(火) 09:30 〜 12:30 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 09:45

[17a-D6-1] 多接合ソーラーセルのための導電性透明ペーストの高導電性化

^○吉冨真也，古川潤，蓮見真彦，鮫島俊之 (東京農工大)

09:45 〜 10:00

▲ [17a-D6-2] GaAs(001)上に成長したCuGaSe2：Zn単結晶薄膜のフォトルミネセンス

^○Sathiabama Thiru^1,2，佐藤知嵩^1,2，豊田康揮^1,2，藤田実樹^1,2，堀越佳治^1,2 (早大¹，早大材料技術研究所²)

10:00 〜 10:15

[17a-D6-3] ケルビンプローブフォース顕微鏡によるCIGS太陽電池の表面電位評価

^○石井智章¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工³)

10:15 〜 10:30

[17a-D6-4] 製膜法によるCu(In,Ga)Se2薄膜中のCu2-δSe相形成の違い

^○（M2）名塚岳洋¹，高林悠太郎¹，秋本克洋¹，櫻井岳暁¹，仁木栄²，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司² (筑波大数理物質¹，産総研²)

10:30 〜 10:45

△ [17a-D6-5] 3段階法により作製したCu(In,Ga)Se₂太陽電池層の非破壊構造評価

^○箕浦翔太¹，前川拓滋²，仁木栄³，藤原裕之¹ (岐阜大¹，ローム²，産総研³)

10:45 〜 11:00

[17a-D6-6] 光化学堆積法による透明p型Cu_xZn_yS薄膜の作製及びヘテロ接合への応用

^○前田洋輔，市村正也 (名工大)

休憩　（11:00 〜 11:15）

11:15 〜 11:30

[17a-D6-7] 電気化学堆積法による硫化鉄薄膜の作製

^○山崎隆太¹，川井正一²，市村正也¹ (名工大¹，デンソー²)

11:30 〜 11:45

[17a-D6-8] 硫化法を用いたSnS薄膜における配向性制御

^○久富一真，永易京，平松昂，杉山睦 (東理大理工/総研)

11:45 〜 12:00

△ [17a-D6-9] Cu₂Sn_1-xGe_xS₃を用いた非毒性・非希少元素の化合物薄膜太陽電池

^○梅原密太郎¹，竹田康彦¹，元廣友美¹，酒井武信²，前川諒介² (豊田中研¹，トヨタ自動車²)

12:00 〜 12:15

[17a-D6-10] Cu₂(Sn_1-xGe_x)S₃光吸収層を用いたヘテロ接合型薄膜太陽電池

^○政所尭宏¹，タンテイミョー¹，百瀬成空²，太子敏則¹，橋本佳男¹，伊東謙太郎¹ (信州大工¹，長野高専²)

12:15 〜 12:30

[17a-D6-11] 第一原理計算による化合物薄膜太陽電池の光吸収層/Mo界面に関する研究

^○（PC）繁實章夫，和田隆博 (龍谷大理工)

一般セッション(口頭講演)

[17p-D6-1~18] 14.5 化合物太陽電池

2013年9月17日(火) 14:00 〜 19:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食　（12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:30

[17p-D6-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）Synthesis of Cu₂ZnSn(S,Se)₄ Nanoparticles for Application in Low-Cost Solar Cells

^○張毅聞^1,2，吉原知宏¹，山田明¹ (東工大¹，凸版印刷²)

14:30 〜 14:45

[17p-D6-2] Sn蒸気輸送を施したCu₂ZnSnS₄薄膜における固相再成長II

^○外山利彦¹，辻良太郎¹，寺井健悟²，中島悠斗²，堤保雄² (阪大院工カネカ協働研¹，明石高専²)

14:45 〜 15:00

[17p-D6-3] フォトルミネッセンス法によるCIGS薄膜太陽電池のプロセス評価[Ⅱ]

^○吉田正吾，太田寛之，弓達新治，宮田晃，白方祥 (愛媛大院理工)

15:00 〜 15:15

△ [17p-D6-4] 四元系化合物Cu₂ZnSnS₄単結晶の電気的特性評価Ⅱ

^○永岡章^{1, 4}，吉野賢二¹，三宅秀人²，柿本浩一³ (宮崎大工¹，三重大工²，九大応力研³，学振特別研究員⁴)

15:15 〜 15:30

[17p-D6-5] 分光エリプソメトリーによるCu₂ZnSnSe₄薄膜の光吸収係数評価

^○平手義樹¹，反保衆志²，箕浦翔太¹，柴田肇²，仁木栄²，藤原裕之¹ (岐阜大¹，産総研²)

15:30 〜 15:45

[17p-D6-6] MBE-CdS/CZTSSe界面バンド接続のその場PES/IPES評価

^○帖地宏典¹，森田英揮¹，吉本翔¹，福山貴之¹，反保衆志²，柴田肇²，松原浩司²，仁木栄²，白間英樹³，杉本広紀³，加藤拓也³，田中良明³，寺田教男^1,2 (鹿児島大¹，産総研²，昭和シェル石油³)

15:45 〜 16:00

[17p-D6-7] In_xGa_1-xN (x~0.3)膜のMOVPE成長に伴う下地p-on-n Si太陽電池の特性変化

三原章宏^1,2，重川直輝³，^○山本高勇^1,2 (福井大院工¹，JST-CREST²，大阪市大院工³)

16:00 〜 16:15

▲ [17p-D6-8] ２接合タンデム太陽電池効率の内部発光量子収率依存性

^○朱琳¹，金昌秀¹，吉田正裕¹，陳少強¹，佐藤慎太郎¹，秋山英文¹，金光義彦² (東京大物性研¹，京都大化学研²)

16:15 〜 16:30

[17p-D6-9] 表面活性化ボンディングによるInGaP/Si タンデム太陽電池の作成

^○梁剣波，森本雅史，西田将太，重川直輝 (大阪市立大)

16:30 〜 16:45

[17p-D6-10] 固体ソースMBEによるInGaP太陽電池の作製

^○武田明紘^1,2，菅谷武芳¹，大島隆治¹，牧田紀久夫¹，松原浩司¹，仁木栄¹，岡野好伸² (産総研¹，都市大²)

休憩　（16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

[17p-D6-11] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）可視光励起光電子分光法による伝導電子の直接観察

^○市橋史朗，志村大樹，西谷健治，桒原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

17:15 〜 17:30

[17p-D6-12] ITO/p-InPヘテロ接合ナノワイヤアレイ太陽電池の特性解析

^○吉村正利^1,2，中井栄治^1,2，冨岡克広^1,2,3，福井孝志^1,2 (北大院情報科学¹，北大量集センター²，JST さきがけ³)

17:30 〜 17:45

[17p-D6-13] VLS成長InPナノワイヤ太陽電池の検討

^○舘野功太，Guoqiang Zhang，後藤秀樹 (NTT物性基礎研)

17:45 〜 18:00

[17p-D6-14] GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価

^○八木修平¹，野口駿介¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，尾鍋研太郎³，岡田至崇⁴，矢口裕之¹ (埼玉大理工¹，東北大金研²，東大新領域³，東大先端研⁴)

18:00 〜 18:15

△ [17p-D6-15] 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察

^○西谷健治，市橋史朗，志村大樹，桒原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

18:15 〜 18:30

△ [17p-D6-16] 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価

^○志村大樹¹，市橋史朗¹，西谷健治¹，原田俊太¹，伊藤孝寛¹，桒原真人¹，松波雅治²，木村真一²，田川美穂¹，宇治原徹¹ (名大院工¹，分子研UVSOR²)

18:30 〜 18:45

△ [17p-D6-17] 中間バンド太陽電池動作実証へ向けた単一量子ドット中における2段階光吸収観測

^○野澤朋宏^1,2,3，都木宏之^1,2，渡邉克之¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子¹，東大生研²，シャープ³)

18:45 〜 19:00

[17p-D6-18] ワイドギャップ障壁層材料を用いた量子ドット超格子の光吸収特性

^○吉川弘文，小谷晃央，葛本恭崇，和泉真，友村好隆，濱口智尋 (シャープ)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-P12-1~16] 14.5 化合物太陽電池

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P12 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[18p-P12-1] Cu₂ZnSnSe₄ナノ結晶を用いた薄膜作製

^○鈴木吏，鈴木俊正，堀茂雄，上原康暉，野々村修一 (岐阜大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-2] Cu₂ZnSnS₄ナノ粒子の合成と薄膜作製の検討

^○堀茂雄，鈴木俊正，鈴木吏，鈴木貴大，野々村修一 (岐阜大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-3] スプレー法CZTS薄膜に与える与える各種アルコールの影響

^○吉岡督之，宮﨑尚，岡本庸一，守本純 (防衛大)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-4] 臭素系ウェットエッチングによるCZTS薄膜への影響

^○宮崎尚¹，青野祐美¹，岸村浩明¹，片桐裕則² (防大機能材料¹，長岡高専²)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-5] 硫化法を用いたSnS薄膜のグレイン制御

^○永易京，久富一真，平松昂，相原理，津川拓也，杉山睦 (東理大理工/総研)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-6] 超臨界流体を用いたチタニア多孔質薄膜内への化合物半導体成膜

^○渡辺伸司，矢中美紀，笘居高明，本間格 (東北大多元研)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-7] SeO₂を用いたセレン化により作製したCZTS薄膜の構造・特性評価

^○笘居高明¹，中安祐太¹，角谷正友²，本間格¹ (東北大多元研¹，物材機構²)

13:30 〜 15:30

▲ [18p-P12-8] Characterization of deep defects in Cu(In,Ga)Se₂ by transient photo-capacitance method

^○（D）Hu Xiaobo¹，櫻井岳暁¹，秋本克洋¹，山田昭政²，石塚尚吾²，仁木栄² (筑波大¹，産総研²)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-9] AlGaAs/GaAs超格子太陽電池における励起子吸収

^○西永慈郎^1,2，河原塚篤^1,2，小野満恒二³，Klasu Ploog^1,2，堀越佳治^1,2 (早大¹，JST CREST²，NTT BRL³)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-10] 酸性溶液を用いた化学浴析出法による ZnS 製膜

^○伊藤和紀，赤坂一行，三宅正男，平藤哲司 (京大エネ科)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-11] n-ZnS/p-ZnTe太陽電池におけるi-ZnS層挿入効果

^○（M1）原口真¹，宮原雅宜¹，田中徹^1,2，斉藤勝彦¹，郭其新¹，西尾光弘¹ (佐賀大院工¹，JST さきがけ²)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-12] 光照射DLTS法によるZnTeOの局在準位評価

^○坪谷直樹，日向淳一，鍋谷暢一，村中司，松本俊 (山梨大院医工)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-13] PbS量子ドット/金属酸化物ナノ接合太陽電池の光電変換特性 -金属酸化物ナノ構造依存性-

^○久家佑輝¹，尾込裕平^2,4，早瀬修二^2,4，吉野賢二^3,4，豊田太郎^1,4，沈青^1,4 (電通大院¹，九工大院生命体工²，宮崎大³，JST CREST⁴)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-14] 有限要素法を用いたInAs/GaAs量子ドット太陽電池の特性解析

^○益原貴志，Amir Mehdipour，相馬聡文，小川真人 (神大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-15] 軸方向接合型InGaAsナノワイヤアレイ太陽電池の作製と評価

^○中井栄治¹，吉村正利¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹ (北大院情報科学及び量集センター¹，JSTさきがけ²)

13:30 〜 15:30

[18p-P12-16] InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関

^○渡邉則之¹，満原学¹，横山春喜¹，梁剣波²，重川直輝² (NTTフォトニクス研¹，大阪市大工²)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.5 化合物太陽電池

[17a-D6-1~11] 14.5 化合物太陽電池

▲ [17a-D6-2] GaAs(001)上に成長したCuGaSe2：Zn単結晶薄膜のフォトルミネセンス

△ [17a-D6-5] 3段階法により作製したCu(In,Ga)Se2太陽電池層の非破壊構造評価

△ [17a-D6-9] Cu2Sn1-xGexS3を用いた非毒性・非希少元素の化合物薄膜太陽電池

[17p-D6-1~18] 14.5 化合物太陽電池

△ [17p-D6-4] 四元系化合物Cu2ZnSnS4単結晶の電気的特性評価Ⅱ

▲ [17p-D6-8] ２接合タンデム太陽電池効率の内部発光量子収率依存性

△ [17p-D6-15] 可視光励起光電子分光法による半導体超格子構造の伝導キャリア観察

△ [17p-D6-16] 角度分解光電子分光法を用いた半導体超格子のミニバンド評価

△ [17p-D6-17] 中間バンド太陽電池動作実証へ向けた単一量子ドット中における2段階光吸収観測

[18p-P12-1~16] 14.5 化合物太陽電池

▲ [18p-P12-8] Characterization of deep defects in Cu(In,Ga)Se2 by transient photo-capacitance method

△ [17a-D6-5] 3段階法により作製したCu(In,Ga)Se₂太陽電池層の非破壊構造評価

△ [17a-D6-9] Cu₂Sn_1-xGe_xS₃を用いた非毒性・非希少元素の化合物薄膜太陽電池

△ [17p-D6-4] 四元系化合物Cu₂ZnSnS₄単結晶の電気的特性評価Ⅱ

▲ [18p-P12-8] Characterization of deep defects in Cu(In,Ga)Se₂ by transient photo-capacitance method