一般セッション(ポスター講演)

[16p-P3-1~7] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年9月16日(月) 13:30 〜 15:30 P3 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[16p-P3-1] アモルファス alpha-Fe2O3-Co2O3薄膜の磁気特性評価

^○（P）金子健太郎¹，小森祥央²，掛谷一弘²，藤田静雄³，田中勝久¹ (京大院工　材料化学専攻¹，京大院工　電子工学専攻²，京大院工　光・電子理工学教育研究センター³)

13:30 〜 15:30

[16p-P3-2] エレクトライドC12A7の常温強磁性

^○中村翔，中村公彦，椿光太郎，和田昇 (東洋大院工)

13:30 〜 15:30

▲ [16p-P3-3] L10-MnGa/Co Bilayer Films with Anti-ferromagnetic Exchange Coupling

^○（D）Reza Ranjbardizaj^{1, 2}，杉原敦¹，水上成美¹，Qinli Ma¹，飯浜賢志²，安藤康夫²，宮崎照宣¹ (東北大WPI-AIMR¹，東北大工²)

13:30 〜 15:30

[16p-P3-4] 垂直磁化FePd/Co₂MnSiエピタキシャル薄膜の作製

^○（M2）鎌田知成¹，桜庭裕弥¹，園部義明²，高橋茂樹²，高梨弘毅¹ (東北大金研¹，サムスン横浜研²)

13:30 〜 15:30

[16p-P3-5] 分子層制御したスピネル型酸化物(001)人工格子の作製と評価

^○（M2）村上拓¹，新関智彦¹，柳原英人¹，山崎裕一²，中尾裕則²，喜多英治¹ (筑波大¹，物構研²)

13:30 〜 15:30

[16p-P3-6] 半導体上への垂直磁化膜の作製と評価（３）

^○（M2）平木隆浩，石倉丈継，小西敬太，崔志欣，陽完治 (北大量子集積センター)

13:30 〜 15:30

[16p-P3-7] 反応性二元同時スパッタリング法により作製したCo_xFe_3-xO₄ (001)薄膜の特性評価

^○（M1）青山凌平¹，内海優史¹，新関智彦¹，柳原英人¹，壬生攻²，喜多英治¹ (筑波大¹，名工大²)

一般セッション(口頭講演)

[17a-C15-1~7] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年9月17日(火) 10:00 〜 11:45 C15 (TC3 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[17a-C15-1] 反強磁性酸化ニッケル薄膜中一次元格子欠陥における強磁性

^○（D）杉山一生¹，柴田直哉¹，山本剛久^1,2,3，幾原雄一^1,2,4 (東大工¹，JFCC²，名大工³，東北大WPI⁴)

10:15 〜 10:30

[17a-C15-2] ハーフメタル候補物質Co₃Sn₂S₂の単結晶育成と物性評価

^○田中真平，矢野力三，加納学，笹川崇男 (東工大応セラ研)

10:30 〜 10:45

[17a-C15-3] XMCDスペクトル形状から見るFe₄N薄膜の局所電子状態

^○伊藤啓太¹，佐内辰徳¹，安富陽子¹，都甲薫¹，竹田幸治²，斎藤祐児²，小口多美夫³，木村昭夫⁴，末益崇¹ (筑波大院数理物質¹，原子力機構²，大阪大産研³，広島大院理学⁴)

10:45 〜 11:00

[17a-C15-4] MBE法により作製したMn₄N薄膜の垂直磁気異方性の評価

^○安富陽子，佐内辰徳，伊藤啓太，都甲薫，末益崇 (筑波大院数理電物)

11:00 〜 11:15

[17a-C15-5] MBE法により作製したCo_xFe_4-xNエピタキシャル膜の磁気異方性

^○佐内辰徳，伊藤啓太，安富陽子，都甲薫，末益崇 (筑波大院　数理)

11:15 〜 11:30

[17a-C15-6] 逆ペロブスカイト型窒化物Mn₃GaN薄膜の電気的・磁気的特性

^○榊原英樹，小林洸，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大院工)

11:30 〜 11:45

▲ [17a-C15-7] Ferromagnetic nano-particles formed by annealing in group-IV ferromagnetic-semiconductor GeFe

^○若林勇希，伴芳祐，大矢忍，田中雅明 (東大院工)

一般セッション(口頭講演)

[18a-C15-1~10] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年9月18日(水) 09:00 〜 11:45 C15 (TC3 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [18a-C15-1] MgO/Co₂FeAl界面における垂直磁気異方性の電界変調

^○（PC）辻川雅人¹，森大樹²，三浦良雄^2,1，白井正文^2,1 (東北大CSIS¹，東北大RIEC²)

09:15 〜 09:30

[18a-C15-2] Mn_3-δX_δGa(X=Fe, Co, Ni)の電子状態に関する第一原理計算

^○谷林慧¹，三浦良雄²，白井正文² (一関高専¹，東北大通研²)

09:30 〜 09:45

▼ [18a-C15-3] Mn-Co-Ga電極を用いた垂直磁化トンネル接合における磁気抵抗効果

^○窪田崇秀¹，水上成美¹，永沼博²，大兼幹彦²，安藤康夫²，宮﨑照宣¹ (東北大WPI機構¹，東北大院工²)

09:45 〜 10:00

▼ [18a-C15-4] Giant tunneling magnetoresistance in fully epitaxial Co₂(Mn,Fe)Si/MgO/Co₂(Mn,Fe)Si magnetic tunnel junctions

^○川見豪¹，Hongxi Liu¹，Yusuke Honda¹，Tetsuya Uemura¹，Fengyuan Shi²，Paul Voyles²，Masafumi Yamamoto¹ (北大情報科学研究科¹，Univ. of Wisconsin-Madison²)

10:00 〜 10:15

△ [18a-C15-5] 垂直磁気異方性を有する[Co₂MnSi/Pd]_n人工格子膜の作製と評価

^○藤野頼信¹，久保田雄紀¹，松下直輝¹，高村陽太¹，園部義明²，中川茂樹¹ (東工大電物¹，サムスン横浜研究所²)

休憩　（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

▲ [18a-C15-6] Pt/Co/Pt/Cr2O3薄膜の垂直交換バイアスに対するCo/Cr2O3界面Pt超薄膜の影響

^○白土優，豊木研太郎，武智雄一郎，尾上聡，中野佑太，中谷亮一 (阪大工)

10:45 〜 11:00

[18a-C15-7] Crバッファ上に作製した垂直磁化Mn-Ge薄膜の磁気的特性

^○杉原敦，水上成美，宮崎照宣 (東北大WPI-AIMR)

11:00 〜 11:15

▲ [18a-C15-8] FeNi多層膜の結晶磁気異方性に関する第一原理計算

尾崎翔¹，^○三浦良雄^1,2，辻川雅人²，阿部和多加^1,2，白井正文^1,2 (東北大通研¹，東北大CSIS²)

11:15 〜 11:30

▲ [18a-C15-9] GaAs およびInP 基板上に成長したL10-FePd/MgO 構造の磁気特性比較

^○好田誠，飯森壮太，大杉廉人，永沼博，宮崎孝道，安藤康夫，新田淳作 (東北大工)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-C15-10] MBEにより成長した三元化合物CrFeTe薄膜の結晶構造と磁性

^○山脇和真，関田直也，金澤研，黒田眞司 (筑波大院)

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[16p-P3-1] アモルファス alpha-Fe2O3-Co2O3薄膜の磁気特性評価

[16p-P3-2] エレクトライドC12A7の常温強磁性

▲ [16p-P3-3] L10-MnGa/Co Bilayer Films with Anti-ferromagnetic Exchange Coupling

[16p-P3-4] 垂直磁化FePd/Co₂MnSiエピタキシャル薄膜の作製

[16p-P3-5] 分子層制御したスピネル型酸化物(001)人工格子の作製と評価

[16p-P3-6] 半導体上への垂直磁化膜の作製と評価（３）

[16p-P3-7] 反応性二元同時スパッタリング法により作製したCo_xFe_3-xO₄ (001)薄膜の特性評価

[17a-C15-1~7] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[17a-C15-1] 反強磁性酸化ニッケル薄膜中一次元格子欠陥における強磁性

[17a-C15-2] ハーフメタル候補物質Co₃Sn₂S₂の単結晶育成と物性評価

[17a-C15-3] XMCDスペクトル形状から見るFe₄N薄膜の局所電子状態

[17a-C15-4] MBE法により作製したMn₄N薄膜の垂直磁気異方性の評価

[17a-C15-5] MBE法により作製したCo_xFe_4-xNエピタキシャル膜の磁気異方性

[17a-C15-6] 逆ペロブスカイト型窒化物Mn₃GaN薄膜の電気的・磁気的特性

▲ [17a-C15-7] Ferromagnetic nano-particles formed by annealing in group-IV ferromagnetic-semiconductor GeFe

[18a-C15-1~10] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

▲ [18a-C15-1] MgO/Co₂FeAl界面における垂直磁気異方性の電界変調

[18a-C15-2] Mn_3-δX_δGa(X=Fe, Co, Ni)の電子状態に関する第一原理計算

▼ [18a-C15-3] Mn-Co-Ga電極を用いた垂直磁化トンネル接合における磁気抵抗効果

▼ [18a-C15-4] Giant tunneling magnetoresistance in fully epitaxial Co₂(Mn,Fe)Si/MgO/Co₂(Mn,Fe)Si magnetic tunnel junctions

△ [18a-C15-5] 垂直磁気異方性を有する[Co₂MnSi/Pd]_n人工格子膜の作製と評価

▲ [18a-C15-6] Pt/Co/Pt/Cr2O3薄膜の垂直交換バイアスに対するCo/Cr2O3界面Pt超薄膜の影響

[18a-C15-7] Crバッファ上に作製した垂直磁化Mn-Ge薄膜の磁気的特性

▲ [18a-C15-8] FeNi多層膜の結晶磁気異方性に関する第一原理計算

▲ [18a-C15-9] GaAs およびInP 基板上に成長したL10-FePd/MgO 構造の磁気特性比較

▲ [18a-C15-10] MBEにより成長した三元化合物CrFeTe薄膜の結晶構造と磁性

セッション一覧

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[16p-P3-1~7] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

▲ [16p-P3-3] L10-MnGa/Co Bilayer Films with Anti-ferromagnetic Exchange Coupling

[17a-C15-1~7] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

▲ [17a-C15-7] Ferromagnetic nano-particles formed by annealing in group-IV ferromagnetic-semiconductor GeFe

[18a-C15-1~10] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

▲ [18a-C15-1] MgO/Co2FeAl界面における垂直磁気異方性の電界変調

▼ [18a-C15-3] Mn-Co-Ga電極を用いた垂直磁化トンネル接合における磁気抵抗効果

▼ [18a-C15-4] Giant tunneling magnetoresistance in fully epitaxial Co2(Mn,Fe)Si/MgO/Co2(Mn,Fe)Si magnetic tunnel junctions

△ [18a-C15-5] 垂直磁気異方性を有する[Co2MnSi/Pd]n人工格子膜の作製と評価

▲ [18a-C15-6] Pt/Co/Pt/Cr2O3薄膜の垂直交換バイアスに対するCo/Cr2O3界面Pt超薄膜の影響

▲ [18a-C15-8] FeNi多層膜の結晶磁気異方性に関する第一原理計算

▲ [18a-C15-9] GaAs およびInP 基板上に成長したL10-FePd/MgO 構造の磁気特性比較

▲ [18a-C15-10] MBEにより成長した三元化合物CrFeTe薄膜の結晶構造と磁性

▲ [18a-C15-1] MgO/Co₂FeAl界面における垂直磁気異方性の電界変調

▼ [18a-C15-4] Giant tunneling magnetoresistance in fully epitaxial Co₂(Mn,Fe)Si/MgO/Co₂(Mn,Fe)Si magnetic tunnel junctions

△ [18a-C15-5] 垂直磁気異方性を有する[Co₂MnSi/Pd]_n人工格子膜の作製と評価